Technics & Technology
RIN.ru - Russian Information Network
 
СРЕДСТВА ПРОВЕРКИ СИСТЕМНОЙ ПАМЯТИ
Опубликовано 25.01.2004 г.
Память для компьютера, как воздух для человека. Когда ее мало, система задыхается, не имея возможности эффективно оперировать данными. Но самый худой случай, когда память сбоит, - это чревато не только внезапными проблемами в работе: зависаниями приложений, потерей данных, но, в конце концов - полным крахом системы. Так как рано или поздно из-за сбоев памяти, ошибки закрадутся и в системные файлы операционной системы, и ее функциональность будет нарушена. В случае нестабильной работы компьютера первым делом стоит проверить память. То же полезно проделать и просто для профилактики, при работе оборудования в нештатных режимах или же при покупке нового ПК.

На сегодняшний день основными типами памяти на материнских платах компьютеров является SDRAM в модулях DIMM PC100/133 и DDR200/266/333/400. DDR работает на базовых частотах 100/133/166/200 МГц, частота сигнала соответственно удваивается. Хотя в устаревших ПК все еще активно используются и модули DIMM PC66 и еще более старые SIMM. Память Rambus - RDRAM применяется в ограниченном количестве, не получив из-за своей дороговизны широкого распространения.

Если ранее чипы памяти (SIMM) характеризовались временем доступа, скажем 60 или 70 ns, то теперь (SDRAM) производители стали указывать другой параметр, иногда ошибочно так же называемый временем доступа к содержимому памяти. В качестве показателя быстродействия SDRAM памяти указывается всего лишь длительность периода синхросигнала tCLK, величина обратно пропорциональная частоте. Типичные значения tCLK - 5-12 ns, полный же цикл реального доступа к ячейке памяти гораздо больше этих значений. Значение tCLK SDRAM неразрывно связано с максимальной частотой ее работы. Зависимость здесь следующая: 10 нс - 100 МГц; 8 нс - 125 МГц; 7,5 нс - 133 МГц; 6 нс - 166 МГц; 5 нс - 200 МГц. По сути, в данном случае, период синхросигнала - это продолжительность одного такта импульса при максимальной частоте: Т(с) = 1/f(Гц). Для представления в более удобном виде (нс) можно пользоваться: Т(нс) = 1000/f(МГц).

Нарушение стабильности работы памяти возможно из-за нескольких причин. Самая тривиальная из них - действительно бракованные модули. Другой причиной могут стать слишком быстрые установки в BIOS, закрученные пользователем намеренно или же по недомыслию. Однако самым коварным случаем, что тоже иногда случается, является аппаратная несовместимость некоторых модулей памяти от разных производителей между собой или же с некоторыми материнскими платами. В последнем случае все компоненты являются, в общем-то, вроде бы и рабочими, однако для них требуется специальный подбор.

Настройка BIOS Setup: скорость/стабильность памяти
Полный цикл доступа к памяти состоит из отдельных операций: запись/чтение столбцов и строк, задержки между сигналами, циклы регенерации и т.д. Каждая операция занимает определенное время, измеряемое наносекундами. Эти временные промежутки называют таймингами памяти. Работа памяти привязана к своей частоте, каждый такт которой уже имеет свой фиксированный промежуток времени. Поэтому время на выполнение отдельных операций обычно представляются не в наносекундах, а в количестве тактов на частоте памяти. Чем с меньшими таймингами может работать память, тем меньше тактов, а значит и времени, понадобится для доступа к ней. Работа памяти и всей системы в целом будет быстрее. Наибольшей популярностью у любителей подразогнать систему пользуются следующие установки: CAS Latency, CAS to RAS Delay, RAS Precharge, образующие основную тайминговую цепочку SDRAM.

SDRAM CAS Latency - время необходимое для реализации сигнала CAS (Column Address Strobe - выбор адреса столбца), то есть количество тактов с момента поступления CAS до записи/считывания с ячейки памяти. Это один из самых важных таймингов, чаще всего присутствующих в настройках BIOS даже в самых простых его версиях. SDRAM CAS to RAS Delay - задержка в тактах между сигналами RAS (Row Address Strobe - выбор адреса строки) и CAS. SDRAM RAS Precharge Time - длительность в тактах перезарядки содержимого строк микросхем памяти. В сокращенном виде это изображается, например, так: '3-3-3', - приведен характерный случай для РС133. Такая запись показывает количество требуемых тактов в последовательности 'CAS' - 'CAS to RAS' - 'RAS Precharge'.

В большинстве BIOS'ов современных материнских плат почти наверняка вручную регулируются тайминги CAS Latency. В платах с боле богатыми регулировками, с явно выраженной оверклокерской направленностью могут поддаваться ручному изменению все вышеперечисленные параметры, и даже некоторые дополнительные. У производителей материнских плат нет единого подхода к подобным установкам, как, впрочем, и к терминологии описывающей их. Могут попадаться довольно замысловатые названия, смысл которых не всегда сразу понятен. В настройках часто присутствуют установки вида: Slow, Normal, Fast, Turbo и т.д. В любом случае, понятно, что Turbo быстрее, чем Normal и т.д., Меняя установки соответствующего вида, вы ускоряете или замедляете работу памяти.

Оперативная память Предприятия отрасли
Переход по страницам:  1 2 3 Еще»