В этой статье мы рассмотрим основные характеристики современных модулей DDR памяти, что позволит вам грамотнее подходить к выбору памяти, не задавать глупых вопросов продавцам компьютерных комплектующих, и несколько расширить пропускную способность и соответственно общую производительность Вашего компьютера.

В BIOS современных системных плат имеется возможность настроить производительность системной памяти. В одних случаях характеристики устанавливаются как 2/3/3 или 2/2/2. Что это означает?
Первая цифра означает латентность CAS. Вторая - это TRCD. И последняя цифра, - это TRP.

Латентность Cas
Что такое CAS?
`CAS` расшифровывается как `Column Address Strobe`, т.е. 'строб адреса столбца'. Чтобы лучше понять эту и другие характеристики современной памяти, необходимо представить себе модель памяти как матрицу или страницу электронной таблицы с ячейками памяти вместо цифр или формул. Подобно электронной таблице, каждая ячейка памяти имеет адрес строки и столбца (подобно `AA57` или `R23C34` в электронных таблицах). Как Вы можете предположить, имеется еще сигнал RAS (`Row Address Strobe` т.е. строб адреса строки).

Что означает латентность?
Латентность - это время ожидания, необходимое, чтобы добраться до нужной ячейки памяти.

Как работает CAS?
Для лучшего понимания принципа работы CAS давайте представим упрощенную версию того, как контроллер памяти читает данные из системной памяти. Сначала чип устанавливает доступ к строке матрицы памяти, помещая адрес на адресную шину модуля памяти, и активизирует сигнал RAS. После чего необходимо подождать несколько тактовых циклов (RAS-to-CAS задержка), и подать на шину адреса адрес столбца и активизировать сигнал CAS, для обращения к нужному столбцу матрицы памяти. После этого опять ждем несколько тактовых циклов, (ЛАТЕНТНОСТЬ CAS!). Только после этого на шине данных модуля памяти появятся нужные данные.

Современные модули памяти имеют латентность CAS равную 3, 2.5, 2 тактовым циклам (CAS3, CAS2.5 и CAS2)

Отсюда можно предположить, что память с CAS2 на 33% быстрее, чем память с CAS3. На самом деле не так все просто. Существует множество других факторов, влияющих на производительность памяти:

· Чтение данных из различных строк памяти. Это означает необходимость активизации RAS, ожидания RAS-to-CAS задержки, и только потом CAS задержку.

· Последовательное чтение большого блока данных. В этом случае CAS активизируется только однажды, в начале процесса чтения.

· Также нельзя не учитывать кэш-память процессоров, что в некоторых случаях (около 95% запросов) позволяет избавиться от обращения к памяти.

Так в реальных условиях простой переход от CAS3 к CAS2 позволит на несколько процентов увеличить производительность в большинстве приложений. А в приложениях, активно использующих память, увеличение будет немного большим.

С другой стороны CAS2 память будет работать быстрее (в некоторых случаях частота шины памяти достигала 160MHz!) чем CAS3. Это очень важно во время разгона системы.

Теперь, давайте вернемся к другим параметрам.

RAS to CAS Delay (TRCD)
Эта характеристика позволяет установить число циклов для задержки между CAS и RAS стробами, используемыми, когда DRAM записывает, читает или обновляет данные. Более низкое значение означает большую производительность.

TRP
Этот параметр указывает, как быстро SDRAM может завершить доступ к одной строке и начать другой.

TRAS
Параметр TRAS обычно принимает значения 5, 6, и 7, и не имеет большого влияния на производительность. В первую очередь он влияет на стабильность памяти. Мы рекомендуем всегда использовать самое большое значение. Обычно на системных платах под процессор AMD устанавливается значение 6, а на P4 платах - 7.

Row Precharge Time
Этот параметр устанавливает число тактов (2T или 3T) RAS для разрешения операции обновления. Если установить значение недостаточное, чтобы аккумулировать заряд, процесс обновления может быть неполным, и DRAM может оказаться не в состоянии сохранять данные.

RAS Pulse Width
Этот параметр позволяет выбрать число тактовых циклов (6T,5T), выделенных для ширины импульса RAS, согласно спецификации DRAM. Более низкое значение означает большую производительность.

Bank Interleave
Этот параметр устанавливает 2-банковое или 4-банковое чередование памяти (Disabled, 2-way и 4-way).