Исследователи из Университета штата Огайо разработали диод нового типа, который отличается самой высокой на сегодня проводимостью. Это изобретение поможет создавать электронные устройства с высоким уровнем быстродействия и низким энергопотреблением.

Новый диод способен пропускать ток в 150 килоампер на квадратный сантиметр. Это втрое выше максимальных нагрузок современных туннельных диодов. Прич?м в отличие от последних, новинка совместима по электрическим параметрам с кремниевыми микросхемами, что открывает широкие области для е? применения.

В процессе работы исследователям пришлось решить проблему создания кремниевых структур с большим количеством примесей бора и фосфора. Когда материал был готов, уч?ные сконструировали кремниево-германиевый "бутерброд" нанометровых масштабов, который и продемонстрировал требуемые свойства.

Разработчики считают, что новый компонент будет весьма полезен в радиопередающих устройствах, которые ограничены в питании, но обязаны выдавать мощный сигнал. Кроме этого, новые диоды пригодятся для бесконтактной диагностики медицинских имплантов, осуществляемой без вторжения в тело пациента.