Компания Micron Technology объявила о создании первого в отрасли LRDIMM-модуля (load-reduced, dual-inline memory module) памяти DDR3, предназначенного для использования в серверных системах. Благодаря снижению нагрузки на шину памяти LRDIMM-модуль имеет возможность поддерживать более высокие частоты. Кроме того, значительно возрастает емкость памяти.

При производстве новых LRDIMM-модулей памяти DDR3 с емкостью 16 Гб будут применяться новейшие 50 нм чипы Micron с плотностью 2 Гбит и рабочим напряжением 1,35 вольта. Использование этих чипов с высокой плотностью и малым размером позволяет легко и эффективно повысить емкость серверного модуля памяти. Кроме того, в новых модулях нашел свое применение недавно анонсированный изолированный буфер памяти (iMB-чип) производства Inphi, позволяющий уменьшить загрузку шины памяти при обмене данными между системной памятью и процессором.

Новые LRDIMM-модули памяти DDR3 от Micron емкостью 8 Гб в настоящее время проходят квалификационное испытание и уже поставляются отдельным потребителям. Первые образцы нового продукта с емкостью 16 Гб сойдут с конвейера уже этой осенью, а массовое производство этих модулей должно начаться в 2010 году.