Компания Samsung объявила о начале производства семплов памяти DDR3 емкостью до 16 Гбайт, выполненных по 50 нм процессу.

Компания заявила, что 50 нм 2 Гбитные чипы памяти DDR3 в два раза превышают плотность сегодняшних чипов с объёмом 1 Гбит и экономят более 40% энергии по сравнению с их предшественниками. Также отмечается, что изготовление 2 Гбитных чипов приводит к увеличению производительности на 60%.

Благодаря тому, что новые чипы имеют маленький форм-фактор, присутствует возможность создание модулей с конфигурацией до 8 Гбайт для RIMM и 4 Гбайт для мобильных SODIMM. Использование упаковки с двойной подложкой увеличивает максимальный объем модулей памяти до 16 Гбайт для серверов и настольных компьютеров.

Согласно производителю, 2 Гбитный чип поддерживает скорость передачи данных до 1,3 Гбит/с при напряжении 1,5 или 1,35 В. Компания начнёт массовое производство 2 Гбитных чипов в конце этого года, а 2 Гбитные DDR3 DRAM в 2009 году.

Стоимость продукта вряд - ли будет низкой, учитывая, что DDR2 память с объёмом 8 Гбайт стоит более 1000 долларов.