В Кабардино-Балкарском Государственном Университете разработали технологию, позволяющую повысить быстродействие полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

До сих пор был известен только один способ повышения быстродействия полупроводниковых приборов - путем снижения времени жизни неосновных носителей в исходном кремнии с р-n-переходом введением в него золота. Но изготовленные таким образом приборы имеют ограниченный частотный диапазон работы, который уже почти достиг предела своего развития и электроника приблизилась к тупику своего дальнейшего развития.

Однако продлить это развитие еще на значительный период времени позволит технология ученых Кабардино-Балкарского Государственного Университета, которая не только повышает быстродействия полупроводниковых приборов, но и обеспечивает технологическую воспроизводимость, расширение частотного диапазона работы, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов, причем без ухудшения статического коэффициента передачи тока.

Все это достигается тем, что при изготовлении полупроводников, на конечной стадии их изготовления, после облучения электронами или гамма-квантами кобальта-60 (Со⁶⁰), они подвергаются обработке высокоэнергетичными магнитными полями в объеме пирамиды в течение определенного времени с последующим стабилизирующим отжигом при температуре 100-250°С в течение 5-50 минут.

Эффект достигается за счет того, что при воздействии магнитного поля на полупроводники в объеме и на поверхности полупроводниковой структуры уменьшаются центры рекомбинации, обуславливая улучшение быстродействия полупроводниковых приборов.

Информация для контакта:

360004, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173, КБГУ