Корпорации Micron Technology и Intel объявили о выпуске опытных образцов модулей флэш-памяти класса NAND на базе передовой 50-нанометровой производственной технологии. Эти образцы изготовлены совместным научно-производственным предприятием IM Flash Technologies, созданным корпорациями Micron и Intel. В настоящее время обе компании выпускают 4-гигабитные модули и планируют в 2007 г. наладить массовое производство модулей различной емкости на базе 50-нанометровых элементов.

Переход к 50-нанометровой производственной технологии позволит корпорациям Intel и Micron удовлетворить растущий спрос на модули флэш-памяти класса NAND повышенной емкости, предназначенные для широкого спектра вычислительных устройств и бытовой электроники, таких как цифровые музыкальные плееры, съемные накопители и переносные коммуникационные устройства. Согласно отраслевым прогнозам, объем рынка NAND-устройств в 2006 г. оценивается в $13-16 миллиардов, а к 2010 г. этот показатель достигнет уровня $25-30 миллиардов.

В январе корпорации Micron и Intel создали компанию IM Flash Technologies (IMFT) для производства элементов флэш-памяти класса NAND. С самого начала своей деятельности предприятие IMFT интенсивно наращивает производственные мощности. В настоящее время флэш-память класса NAND для IMFT производится на заводе корпорации Micron в Бойсе, до конца года фабрика Micron в Манассасе (штат Виргиния), выпускающая продукцию на базе 300-миллиметровых подложек, также начнет поставлять элементы NAND для компании IMFT. Также ожидается, что фабрика в Леи (штат Юта), которая принадлежит компании IMFT и служит ее штаб-квартирой, сможет начать выпуск элементов NAND в начале следующего года.