Компания Samsung сообщила об очередном своем достижении - разработке первого 16-гигабитного чипа NAND флэш-памяти, произведенного по 50-нм технологическому процессу. Благодаря использованию новых "кристаллов" компании становится возможным производство более емких карт памяти - объемом 16 и 32 Гбайт.

Переход от 60-нм техпроцесса к более прогрессивному 50-нм позволил существенно снизить размеры ячейки флэш-памяти. Компания Samsung сообщает, что один бит информации "занимает" всего 0.00625 кв.мкм., что на 25% меньше, чем для 60-нм моделей. 16-гигабитный чип содержит около 16.4 млрд. транзисторов.

Новая разработка в своей перспективе способна составить серьезную конкуренцию не только устройствам на основе чипов флэш-памяти, но и мини-винчестерам. Естественно, дальнейшие разработки будут только приближать емкость флэш-устройств к емкости накопителей на основе жестких дисков, и в будущем, наверняка заменят их во многих сегодняшних приложениях.

Но и производители винчестеров не стоят на месте - новая технология перпендикулярной записи данных позволила сохранить дистанцию между двумя классами устройств. В течение нескольких ближайших лет ситуация, видимо, существенно не изменится, но будущее сулит серьезные перемены в секторе устройств хранения информации, и флэш-накопители будут играть в нем далеко не последнюю роль.