Sharp Corporation разработала высоко-скоростную комбинированную Flash/SCRAM память для мобильных телефонов третьего поколения. Скорость передачи данных LRS1887 превосходит предыдущую модель (LRS18AZ), которая полностью удовлетворяла требованиям 3G-телефонов, в три раза и составляет 320Мбит/сек. Массовое производство компания Sharp планирует начать в самом конце июля, а пробные поставки идут уже сейчас.

Микросхема LRS1887 плотностью 512Мбит работает на частоте 80/80МГц (Flash/SCRAM), имеет 32-разрядную шину и потребляет 1,7-1,95В. Чипы памяти "упакованы" в 107-контактный CSP корпус, размеры которого - ширина 9 x длина 12 мм. Стоимость LRS1887 - 6300 йен (около 57 долларов), планируемый ежемесячный объем производства - 100,000 единиц.