Sony и Toshiba сообщили, что специалистами компаний разработана ячейка встраиваемой динамической оперативной памяти, предназначенная для технологического процесса по нормам 45 нм. Ячейка получена пропорциональным масштабированием существующего прототипа до площади 0,069 квадратных микрон.

Как известно, ранее Sony и Toshiba совместно разработали 90-нм и 65-нм технологии, которые компания Toshiba называет COMS4 и CMOS5. Новый этап сотрудничества должен привести к разработке 45-нм процесса, который в словаре Toshiba получил название CMOS6.

Команда разработчиков подготовила технологию, позволяющую дополнить однокристальные системы, представляющие собой большие интегральные схемы (LSI), внедренной динамической оперативной памятью. Характеристики хранения данных прототипа 45-нм динамической оперативной памяти почти не отличаются от соответствующих характеристик 65-нм внедренной динамической оперативной памяти. Функциональные испытания встроенной макроячейки динамической оперативной памяти объемом 256 килобит показали процент выхода годных изделий на уровне 61%.

В разработку процесса по нормам 45 нм компании инвестировали приблизительно 20 миллиардов иен. Ожидается, что технология для нового поколения продукции будет готова к концу 2006 финансового года (март 2007 года).