Компании Fujitsu Ltd и Seiko Epson объявили о соглашении по совместной разработке новой технологии для ферроэлектрической RAM-памяти (Ferroelectric Random Access Memory (FRAM). Ожидается, что размер ячейки будет в шесть раз меньше обычного FRAM элемента, а завершение разработки технологии планируется в первой половине 2006 года. Кроме того, Fujitsu и Epson планируют разработку технологии обработки ядра памяти, которая будет иметь минимальные ограничения на число циклов записи/считывания.

Память FRAM будет использоваться в бесконтактных чипкартах, беспроводных тегах, автомобильных микрокомпьютерах и других устройствах. Для новой памяти Seiko Epson разработала специальный материал, который содержит чередующиеся участки соединения титана и ниобия для улучшения способности хранения данных и повышения усталостных свойств по сравнению с обычными FRAM. Это также позволит воплотить архитектуру 'Crosspoint'.