В Федеральном Государственном Унитарном Предприятии "Всероссийский Научно-исследовательский Институт Синтеза Минерального Сырья" отладили технологию выращивания кристаллов, которая позволяет снизить плотность ростовых дислокаций или получить полностью бездислокациионные кристаллы синтетического кварца, а именно монокристаллы кварца больших размеров и необходимого качества, используемые, преимущественно, для изготовления различных технических устройств в современной электронике.

Известные способы выращивания подобных кристаллов либо содержат линейные дефекты, так называемые ростовые дислокации (часто в весьма высокой концентрации), которые отрицательно влияют на технические характеристики кристаллов, либо позволяют получить кристаллы, которые отличаются неоднородным секториальным строением, при котором пирамиды роста граней разных простых форм имеют различные физические свойства. Кроме того, последние содержат ростовые дислокации, снижающие их качество.

Сотрудниками ФГУП "ВНИИСИМС" - Гордиенко Л.А., Дороговиным Б.А., Орловым О.М., Полянским Е.В., Цинобер Л.И. и Шванским П.П. удалось снизить плотности ростовых дислокаций и получить полностью бездислокационные кристаллы синтетического кварца с целью их использования в современных отраслях техники.

Данная задача ими была решена за счет того, что в способе выращивания кристаллов синтетического кварца гидротермальным методом, включающем перекристаллизацию кварцевой шихты на стержневые затравки при наличии температурного перепада между камерой роста и растворения, они использовали стержневые затравки, ориентированные своей длиной вдоль кристаллографического направления, причем боковые стороны стержневых затравок оконтурены либо четырьмя гранями основного отрицательного ромбоэдра, либо двумя гранями положительной и отрицательной тригональной призмы и двумя гранями второго ромбоэдра или имеют цилиндрическую форму. К тому же, стержневые затравки изготовлены из малодислокационных или бездислокационных областей предварительно выращенных кристаллов.

Такая технология позволяет выращивать малодислокационные или полностью свободные от ростовых дислокаций крупные кристаллы синтетического кварца, которые могут найти применение в различных технических устройствах электроники.

Информация для контакта:

Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Всероссийский Научно-исследовательский Институт Синтеза Минерального Сырья"

601650, Владимирская обл., г. Александров, ул. Институтская, 1, ФГУП "ВНИИСИМС"