Опубликовано 25.01.2004 г.
 Infineon Technologies разработал новую семью почти идеальных высоковольных полупроводниковых выпрямительных диодов Шотки на основе карбида кремния (SDD04S60, SDP04S60, SDT04S60, SDB06S60, SDP06S60, SDT06S60, SDT12S60). SiC - новый революционный материал для силовой электроники, физические свойства которого существенно превосходят кремний и AsGa.
SiC диоды Infineon объединяют в себе:
(Техническая документация на сайте Infineon Technologies)
- исключительно малое время обратного восстановления;
- практическое отсутствие обратного тока переключения;
- практическое отсутствие влияние температуры на динамические характеристики переключения;
- практическое отсутствие тока утечки;
- низкое прямое сопротивление потерь по сравнению с Si и GaAs диодами;
- высокая плотность тока при очень маленьких размерыах кристалла, т.к. тепловая проводимость SiC в три раза больше чем у Si, т.е. сравнима с медью.
Диоды Шоттки 0,1A
Спецификация: Тип корпуса SOT23 
| Тип | Параметры | | BAR43 | Si-Einzeldiode 30V 0,1A SOT23 | | BAR43A | 2xBAR43 gem Anode 30V 0,1A SOT23 | | BAR43C | 2xBAR43 gem Kath 30V 0,1A SOT23 | | BAR43S | 2xBAR43 in Serie 30V 0,1A SOT23 |
| 
